艾賽斯igbt模塊是電壓型控制，具有輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優點。igbt的發展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標，特別是發展高壓變頻器的應用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡化調試工作等，都與igbt有密切的內在關聯。
如何判斷艾賽斯igbt模塊的好壞？
1.判斷極性
首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極(G)。其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發射極(E)。
2.判斷好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接igbt的集電極(C)，紅表筆接igbt的發射極(E)，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極(G)和集電極(C)，這時igbt被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下柵極(G)和發射極(E)，這時igbt被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷igbt是好的。
3.任何指針式萬用表皆可用于檢測igbt
注意判斷igbt好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使igbt導通，而無法判斷igbt的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應晶體管(P-MOSFET)的好壞。
更新時間：2022-10-09
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