艾賽斯模塊的可靠性測試是在其生產中不可少的一個環節，為何這么說呢？

　　艾賽斯模塊是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十KHz頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。

　　若在柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOS截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。與MOSFET一樣，艾賽斯模塊也是電壓控制型器件，在它的柵極—發射極間施加十幾伏的直流電壓，只有在ua 級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

　　作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經廣泛用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。在工業應用方面，如交通控制、功率變換、工業電機、不間斷電源、風電與太陽能設備，以及用于自動控制的變頻器。該模塊的可靠性測試可以篩選出合格產品，利于廠商改進工藝條件。